Моделирование конструкции и процессов переноса заряда в транзисторах на основе карбида кремния
| Направление | Электроника, нанотехнологии и наноматериалы |
|---|---|
| ФИО авторов | Бухбиндер Никита Викторович, Семенов Андрей Сергеевич, Семёнов Максим Дмитриевич |
| Организация | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)» |
| Доклад | Просмотреть доклад |