Observation of the influence of complex SiC porous buffer layer on properties of GaN/Si(111) heterostructures
| Направление | Наноматериалы и нанотехнологии |
|---|---|
| ФИО авторов | Золотухин Дмитрий Сергеевич |
| Организация | Воронежский Государственный Университет |
| Доклад | Просмотреть доклад |